面向散热应用的碳化硅表面热丝化学气相沉积金刚石膜生长速率

李维汉, 乔煜, 疏达, 王新昶

Growth Rates of HFCVD Diamond Films on Silicon Carbide Substrates for Heat Dissipation Applications

LI Weihan, QIAO Yu, SHU Da, WANG Xinchang

表1 金刚石薄膜沉积工艺参数

Tab.1 Parameters of diamond film deposition

沉积参数 形核阶段 生长阶段 甲烷/氢气流量之比 (14~18)/300 (14~18)/300 反应压力/kPa 1.0~5.0 1.0~5.0 热丝温度/℃ 2 000~2 500 2 000~2 500 衬底温度/℃ 600~1 000 600~1 000 沉积时间/h 0.5 3 热丝与衬底距离/mm 10 10 热丝间距/mm 15 15