一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型

张光明, 雷宇, 陈后鹏, 俞秋瑶, 宋志棠

A Circuit Simulation Model of 1S1R for 3D Phase-Change Memory

ZHANG Guangming, LEI Yu, CHEN Houpeng, YU Qiuyao, SONG Zhitang

表3 本文与其他文献中相变存储器仿真模型对比

Tab.3 Comparison of PCRAM model between this paper and other literatures

来源 OTS亚阈值非线性 PCM结构 PCM熔融过程 PCM晶态非线性 熔融电阻率稳定 直流仿真结果 阵列仿真结果 文献[9] 无 mushroom 有 无 无 无 无 文献[10] mushroom 无 无 有 有 文献[11] 有 confine 无 无 无 无 文献[13] mushroom 有 有 无 有 有 本文 有 confine 有 有 有 有 有