一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型
张光明, 雷宇, 陈后鹏, 俞秋瑶, 宋志棠
A Circuit Simulation Model of 1S1R for 3D Phase-Change Memory
ZHANG Guangming, LEI Yu, CHEN Houpeng, YU Qiuyao, SONG Zhitang
表2
PCM模型参数
Tab.2
Parameters of PCM model
参数
取值
器件高度,
l
/nm
50
底面半径,
r
/nm
10
结晶温度,
T
c
/K
473
熔融温度,
T
m
/K
900
阈值电压,
U
th
/V
1
晶态热导率,
k
/(W·m
-1
·K
-1
)
1.5
比热容,
c
/(J·m
-3
·K
-1
)
1.24×10
6
熔融温度扩散系数,
σ
m
/K
10
熔融时间常数,
τ
m
/ns
1
晶态电阻率,
ρ
c
/(Ω·m)
2×10
-4
非晶态电阻率,
ρ
a
/(Ω·m)
1
非晶态非线性参数,
U
0a
/V
0.12
晶态非线性参数,
U
0c
/V
0.037