一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型
张光明, 雷宇, 陈后鹏, 俞秋瑶, 宋志棠
A Circuit Simulation Model of 1S1R for 3D Phase-Change Memory
ZHANG Guangming, LEI Yu, CHEN Houpeng, YU Qiuyao, SONG Zhitang
表1
OTS模型参数
Tab.1
Parameters of OTS model
参数
取值
阈值电压,
U
th
/V
3
保持电压,
U
hold
/V
0.5
关断零偏压阻值,
R
OFF
/GΩ
40
导通阻值,
R
ON
/kΩ
40
亚阈值电压常数,
U
OFF
/V
0.3