%A 吴磊, 蔡道林, 陈一峰, 刘源广, 闫帅, 李阳, 余力, 谢礼, 宋志棠 %T 连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响 %0 Journal Article %D 2021 %J 上海交通大学学报 %R 10.16183/j.cnki.jsjtu.2020.028 %P 1134-1141 %V 55 %N 9 %U {https://xuebao.sjtu.edu.cn/CN/abstract/article_43437.shtml} %8 2021-09-28 %X

为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复.